WE4-3F3130S03，西克線性伺服反饋編碼器[產(chǎn)品打印頁(yè)面]

WE4-3F3130S03，西克線性伺服反饋編碼器
**位置編碼類(lèi)型二進(jìn)制
接口信號(hào) 過(guò)程數(shù)據(jù)通道
 SIN、REFSIN、COS、REFCOS 模擬量、差分
質(zhì)量閱讀器 0.08 kg，磁條 0.18 kg/m
材料閱讀器為壓鑄鋅，磁條為 17410 硬鐵素體 9/28 P
工作溫度范圍–30 °C ... +80 °C
存儲(chǔ)溫度范圍–40 °C ... +85 °C，無(wú)包裝
相對(duì)溫度/冷凝100 %，可冷凝
抗沖擊性30 g, 6 ms (EN 60068-2-27)
通過(guò)該指令可設(shè)置編碼器位置：所需的位
置值指向正弦信號(hào)的開(kāi)始周期，與“設(shè)置位置”(43h) 指令不同，
指令不會(huì)改變位置值的后 5 位數(shù)據(jù)，
這些數(shù)據(jù)負(fù)責(zé)一個(gè)周期內(nèi)的插值。
該指令中的位置值采用“無(wú)符號(hào)長(zhǎng)整型”
格式傳輸，與右側(cè) LSB 位對(duì)齊并存儲(chǔ)于非易失存儲(chǔ)空間，位置值
范圍介于 0 ... 127999 或 0 ... 31999 之間
，必須以 1/32 mm 的整數(shù)倍的形式輸出。
列事件將觸發(fā)錯(cuò)誤信息：
傳輸指令字節(jié)數(shù)錯(cuò)誤 (WRONG_COMMAND_LENGTH, 0Ch)
存取代碼輸入錯(cuò)誤 (ERR_ACCESS_CODE, 0Fh)
出現(xiàn)可能導(dǎo)致位置值無(wú)效的內(nèi)部錯(cuò)誤 (ERR_INT_ANGLE_OFFSET, 02h)
編碼器未調(diào)節(jié) (ERR_NOT_CALIBRATED, 20h)
傳輸指令變量無(wú)效 (WRONG_ARGUMENT, 0Dh)
內(nèi)部奇偶校檢錯(cuò)誤 (ERR_CHKSUM, 06h)
抗振動(dòng)性20 g, 10 Hz ... 2,000 Hz (EN 60068-2-6)
插頭連接至電機(jī)控制器的中央接地點(diǎn)的
情況下實(shí)現(xiàn)的。如果用戶使用了其它屏蔽接地設(shè)計(jì)，則必須自行
外部磁場(chǎng)強(qiáng)度在位置值與初始值（無(wú)外部磁
場(chǎng)影響時(shí)）相差超過(guò) 5 μm 時(shí)獲得。此時(shí)傳
感器處的磁場(chǎng)強(qiáng)度（不包括磁條磁場(chǎng)強(qiáng)度）為 3 kA/m 至 4 kA/m
EMC 1) (EN 61000-6-2, EN 61000-6-3)
外殼防護(hù)等級(jí)IP 65，插上插頭時(shí)（根據(jù) IEC 60529）
磁條溫度系數(shù)(11 ± 1) μm/K/m
允許環(huán)境磁場(chǎng)強(qiáng)度 2) < 3 kA/m ... 4
kA/m (3.8 mT ... 5 mT)：確保符合公稱(chēng)精度值
允許磁場(chǎng)強(qiáng)度< 150 kA/m (< 190 mT)：確保磁條不會(huì)出現(xiàn)長(zhǎng)久損
上述標(biāo)準(zhǔn) EMC 性能是在插上插頭并通過(guò)屏蔽電纜將

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